晶体管开关电路在现在电路设计中十分常见。三极管开关电路分为两大类，一类是经典的TTL三极管开关电路，一类是MOS管开关电路。三极管和MOS管作为开关管时，有很多相似之处，也有不同之处，那么在电路设计时，两者之间该如何选择呢？

(资料图片仅供参考)

三极管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N沟道和P沟道的，三极管的三个引脚分别是基极B、集电极C和发射极E，而MOS管的三个引脚分别是栅极G、漏极D和源极S。

对于MOS管，我们在电路设计中都会遇到，那么应该如何设计一个MOS管的开关电路呢？

MOS管开关电路

我们一般会用一个三极管去控制，如下图！

MOS管开关电路

但是这个电路的缺点也是显而易见，由于MOS管有一个寄生的二极管，如果CD5V的滤波电容过大，或者后端有别的电压串进来，会把前端给烧坏！

电流路径如下：

后端电流路径

如何改善这个问题呢？

有两个方式，一种是在后端串联二极管。

防止后端电压电流串扰的电路

优点，电路简单，BOM成本低！

缺点，二极管动态负载电阻大，特别不适合后盾负载变化大的！

另外一种，便是后端串联一个同规格的MOS管！

防止后端电压电流串扰的电路

优点，MOS管开通电阻极小，对于后端负载电流变化不敏感。

缺点，BOM成本高！

审核编辑：汤梓红