导读

NMOS晶体管工作在线性区时，漏源两端的沟道存在阻性连接，以下文字对这种阻性连接进行简单介绍。

NMOS晶体管工作在线性区时的漏源电流表达式为式（1），在该工作区下阻性沟道直接连接漏源两端，沟道中任意位置氧化层两端的电压只要超过阈值电压，就能产生这种阻性连接。

(相关资料图)

（1）

任意位置氧化层两端的电压在为漏端的电压最小，即

（2）

因此，VGS- VDS > VTH时，就能产生阻性连接。

对式（1）进行移项并整理，可得

（3）

故导通电阻的表达式为

（4）

或者

（5）

式（4）和式（5）即是NMOS晶体管工作在线性区时的导通电阻。